淨化工程具體工藝對溫度的要求以後還要列舉，但作為總的原則看，由於加工精度越來越精細，所以對溫度波動範圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與矽片的熱膨脹係數的差要求越來越小。直徑100um的矽片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以後，對產品將有汙染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。
濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生鏽。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把矽片表麵粘著的灰塵化學吸附在表麵耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低於30%時，又由於靜電力的作用使粒子也容易吸附於表麵，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對於矽片生產最佳溫度範圍為35—45%。
潔淨室中的氣壓規定:
對於大部分潔淨空間，為了防止外界汙染侵入，需要保持內部的壓力（靜壓）高於外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：
1.潔淨空間的壓力要高於非潔淨空間的壓力。
2.潔淨度級別高的空間的壓力要高於相鄰的潔淨度級別低的空間的壓力。
3.相通潔淨室之間的門要開向潔淨度級別高的房間。
壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔淨室的各種縫隙時的阻力。