潔淨室溫濕度、氣壓、氣流速度的控製要點
潔淨室最主要的功能是提供生活和生產所需的健康環境，營造出滿足照明度、溫濕度、噪聲、氣流、壓力、靜電和微振動等健康指標的環境，使相關的服務和產品能夠滿足人們對健康環境的需求，提供良好的、可控的空間環境，從而有效地提升產品的合格率，全麵提升和改善相關服務質量的目標。
因此，潔淨室中要控製的因素很多，下麵就來總結潔淨始終溫濕度、氣壓、氣流速度的主要要點。
潔淨室中的溫濕度控製
潔淨空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔淨度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。
淨化工程具體工藝對溫度的要求以後還要列舉，但作為總的原則看，由於加工精度越來越精細，所以對溫度波動範圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與矽片的熱膨脹係數的差要求越來越小。直徑100um的矽片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以後，對產品將有汙染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。
濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生鏽。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把矽片表麵粘著的灰塵化學吸附在表麵耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低於30%時，又由於靜電力的作用使粒子也容易吸附於表麵，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對於矽片生產最佳溫度範圍為35—45%。
潔淨室中的氣壓規定
對於大部分潔淨空間，為了防止外界汙染侵入，需要保持內部的壓力（靜壓）高於外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：
（1）潔淨空間的壓力要高於非潔淨空間的壓力。
（2）潔淨度級別高的空間的壓力要高於相鄰的潔淨度級別低的空間的壓力。
（3）相通潔淨室之間的門要開向潔淨度級別高的房間。
壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔淨室的各種縫隙時的阻力。
潔淨室中的氣流速度規定
這裏要討論的氣流速度是指潔淨室內的氣流速度，在其他潔淨空間中的氣流速度在討論具體設備時再說明。
對於亂流潔淨室由於主主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內汙染的程度，所以主要用換氣次數這一概念，而不直接用速度的概念，不過對室內氣流速度也有如下要求；
（1）送風口出口氣流速度不宜太大，和單純空調房間相比，要求速度衰減更快，擴散角度更大。
（2）吹過水平麵的氣流速度（例如側送時回流速度）不宜太大，以免吹起表麵微粒重返氣流，而造成再汙染，這一速度一般不宜大幹0.2m/s。
對於平行流潔淨室(習慣上稱層流潔淨室），由於主要靠氣流的“活塞打擠壓作用排除行染，所以截麵上的速度就是非常重要的指標。過去都參考美國20gB標準，采用0.45m/s．但人們也都了解到這樣大速度所需要的通風量是極大的，為了節能，也都在探求降低速一風速的可行性。
在我國，《空氣潔淨技術措施》和<潔淨廠房設計規範））都是這樣規定的：
（1）垂直平行流（層流）潔淨室≥0.25m/s
（2）水平平行流（層流）潔淨室≥0.35m/s
